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変革期を迎えるVLSI技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ。本書はシリーズ第1巻。ナノスケールVLSIデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法をまとめた。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題を整理。
目次 :1 序論(スケーリング則とムーアの法則;集積ナノデバイスの諸問題 ほか);2 MOSトランジスタの基礎(MOSトランジスタの構造と動作;MOSトランジスタの1次近似モデル ほか);3 微細トランジスタの性能向上(極薄膜Siや3次元構造Siによる新構造トランジスタ;移動度向上技術(ひずみSi、新チャネル材料));4 微細化・集積化にともなう諸問題(スケーリングによる微細化とその課題;微細MOSFETの信頼性 ほか);5 将来展望(将来に向けての技術動向;集積ナノデバイスマップ ほか)
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